國(guó)產(chǎn)劃片機(jī) 2022-03-25
芯片封裝技術(shù)的基本工藝流程為：硅片減薄、硅片切割、芯片貼裝、芯片互連、成型技術(shù)、去飛邊毛刺、切筋成型、上焊錫、打碼等工序，目前大批量生產(chǎn)所用到的主流硅片多為6英寸、8英寸乃至 12 英寸，由于硅片尺寸直行不斷增大，為了增加其機(jī)械強(qiáng)度，厚度也相應(yīng)地增加，這就給芯片的切割帶來了困難，所以在封裝之前一定要對(duì)硅片進(jìn)行減薄處理。
硅片的背面減薄技術(shù)主要有磨削、研磨、千式拋光 (Dry Polishing)、化學(xué)機(jī)械平坦工藝（CMP）、電化學(xué)腐蝕 （Electrochemical Etching）、濕法腐蝕 ( Wet Etching)、等離子增強(qiáng)化學(xué)腐蝕 (Plasma-Enhanced Chemical Etching, PECE)、常壓等離子腐蝕 ( Atmosphere Downstream Plasma Etching, ADPE) 等。減薄后硅片粘在一個(gè)帶有金屬環(huán)或塑料框架的薄膜常稱為藍(lán)膜上，送到芯片切割機(jī)進(jìn)行切割，切割過程中，藍(lán)膜起到了固定芯片位置的作用。切割的方式可以分為刀片切割和激光切割兩個(gè)大類。
刀片切割是較為傳統(tǒng)的切割方式，通過采用金剛石磨輪刀片高速轉(zhuǎn)動(dòng)來實(shí)現(xiàn)切割。由于切割過程中有巨大的應(yīng)力作用在硅片表面，故在切割位置附近不可避免地會(huì)產(chǎn)生一定的崩裂現(xiàn)象。在刀片切割中，切割質(zhì)量受磨粒因素影響較大，采用細(xì)磨粒的刀片進(jìn)行切割產(chǎn)生的芯片邊緣崩裂要顯著低于普通磨粒切割的效果。由于現(xiàn)在的晶圓減薄技術(shù)越來越先進(jìn)，所以晶圓能變得越來越薄，和劃片機(jī)的應(yīng)力作用的雙重作用下，芯片封裝與減薄技術(shù)依賴精密切割劃片機(jī)。
然而，太陽(yáng)能電池硅片切割技術(shù)是太陽(yáng)能電池制造過程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。該工藝用于處理單晶硅或多晶硅的固態(tài)硅錠。線鋸首先將硅錠切割成方形，然后將其切割成非常薄的硅片，這是光伏電池的基板。
那么太陽(yáng)能電池硅片切割技術(shù)是太陽(yáng)能電池制造過程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。該工藝用于處理單晶硅或多晶硅的固態(tài)硅錠。線鋸首先將硅錠切割成方形，然后將其切割成非常薄的硅片，這是光伏電池的基板。
你了解太陽(yáng)能電池硅片切割技術(shù)是太陽(yáng)能電池制造過程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，該工藝用于處理單晶硅或多晶硅的固態(tài)硅錠。線鋸首先將硅錠切割成方形，然后將其切割成非常薄的硅片，這是光伏電池的基板。
