國產劃片機 2021-05-10
高精密劃片機制造商對于低k晶圓切割質量評估，除了正面崩角和背面崩角以外，根據實驗數據和可靠性結果，規定了下述硅片切割質量指標：
（１）銅密封環不允許出現斷裂，分層或其他任何（在200倍顯微鏡下）可見的損傷。
（２）在劃片街區上出現金屬與ILD層的分層是允許的，只要這種分層能止步于銅密封環外。
（３）在芯片的頂角區域的金屬／ILD層不允許出現分層或損傷，唯一的例外是有封裝可靠性數據證明在某種特定的芯片設計／封裝結構的組合下芯片的頂角區域的損傷可以接受。
在晶圓的制造過程中，為了獲得較高的成品率、較低的制造成本和穩定的工藝制程，每一步工藝都處于嚴格的監控下。因此，測試圖案被設計出來并對其進行監測，以確保關鍵參數如電參數、制程精度如ILD層／金屬層的淀積厚度、掩膜對準精度及金屬線寬容差等滿足設計要求，通常有三種方式來實現晶圓工藝制程監控：
（a）離線測試，這種測試將所有的測試圖案放入被稱為“工藝確認晶圓”的特別設計的晶圓上。優點是可以包括所有需要測試的圖案，因而可以執行一個全面的工藝制程監控；缺點是高成本和費時。它通常應用在產品的研發初期。當產品技術日趨成熟后，這種測試方法會被其他的測試方法所取代。
（b）測試芯片插入法。所有的測試圖案被放入測試芯片內，這些測試芯片被安放在晶圓上的不同區域。測試芯片的數目和位置取決于晶圓制造技術的復雜度。優點是它是一種實時監控。如果某種致命的缺陷發生在晶圓制造流程的早期，就可以避免由于整個晶圓報廢而帶來的損失。這種測試方法的缺點是它占用了寶貴的硅片資源，尤其是當單個芯片尺寸較大，而PDPW(Potential Die Per Wafer)數目較小的時候。
（c）周邊測試，測試圖案被放置在劃片街區內。將測試圖案放在劃片街區內能夠在實現實時監控的同時，節約了寶貴的硅片資源。可以放進劃片街區的測試圖案的數目取決于在一個掩膜（Reticle）內劃片街區的長度和面積。在一個Reticle內劃片街區上的測試圖案，會隨著步進式光刻的科技進化完成項目。
在一個晶圓上，通常有幾百個至數千個芯片連在一起，我們國產劃片機行業正在崛起，得到了國家的重視！劃片機來自漢為科技，未來世界看中國制造！
